内存优化
由于K8处理器将内存控制器集成在CPU的内部,所以使得可调节的内存参数多了很多,尤其是在配合NF4芯片组之后,在BIOS中的内存参数调节选项比以前丰富的多。所以在超完频之后,还要对内存参数进行优化设置。

传统的对内存优化方法,无非是降低内存的Command Per Clock(CPC)、CAS Latency Control(tCL)、RAS# to CAS# Delay(tRCD)、Min RAS# Active Timing(tRAS)、Row Precharge Timing(tRP)、Row Cycle Time(tRC)、Row Refresh Cycle Time(tRFC)等关于内存时序的参数,但是现在我已经对CPU作了超频,外频达到了250Mhz,和内存同步运行,而且我使用的KINGMAX DDR500内存条很普通,因而单纯降低这些参数只会影响系统的稳定,所以我要从其他参数下手。
Idle Cycle Limit

这个参数表示强制关闭一个内存页面前的memclock数值,也就是读一个内存页面之前重充电的最大时间。这个设置主要对系统的稳定性有影响,一般内存建议设为8-16,好内存可以设置为32。我这条内存可以最高可以设置为16。
R/W Queue Bypass

在判忧器复写和最后一个操作选择之前,DCI(Device control Interface)的读/写队列的操作时间,和idle cyblelimit比较类似,但这个参数还会影响内存页面的读/写队列。我这条内存可以最高可以设置为8
DQSSkew Control


稳定的电压可以使内存达到更高的频率,电压浮动会引起较大的时间差(skew),加强控制力可以减少skew,但相应的DQS(数据控制信号)上升和下降的边缘会出现电压过高或过低。一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟。DDR内存的解决方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。DDRII引进了更先进的技术:双向的微分I/O缓存器来组成DQS。微分表示用一个简单脉冲信号和一个参考点来测量信号,而并非信号之间相互比较。理论上提升和下降信号应该是完全对成的,但事实并非如此。时钟和数据的失谐就产生了DQ-DQSskew。
这个参数有2个选项,设为Increase可以提升性能,设为Decrease可以提高稳定性,我设为Increase。