近期DDR内存价格以前所未有的幅度下滑,256MB的产品不足200元,512MB的产品只要400就可以拿下。内存的降价不光乐坏了许多正准备装机的朋友,很多已经有电脑的人也在盘算再买一根512MB内存升级。
目前内存市场的主力仍然是DDR400,一般像INTEL的用户配2根512MB DDR400内存就可以获得不俗的表现。不过笔者发现一个问题,许多消费者在购买内存的时候,对于内存的运行频率非常关注,但却常常忽视了内存中另一项非常重要的概念-内存延时。
内存延时主要包括下面几个地方:
CAS(Column Address Strobe) Latency:列地址选通脉冲延迟时间,即SDRAM内存接收到一条数据读取指令后要延迟多少个时钟周期才执行该指令。这个参数越小,内存的反应速度越快,可以设置为2.0、2.5、3.0。我们一般简称其为CL值。 RAS-to-CAS delay(tRCD):从内存行地址转到列地址的延迟时间。即从SDRAM行地址选通脉冲(RAS,Row Address Strobe)信号转到列地址选通脉冲信号之间的延迟周期,也是从1~15可调节,越小越快。
Row-precharge delay(tRP):内存行地址选通脉冲信号预充电时间。调节在刷新SDRAM之前,行地址选通脉冲信号预充电所需要的时钟周期,从1~7可调,越小越快。
Row-active delay(tRAS):内存行地址选通延迟时间,供选择的数值有1~15,数值越小越快。
RAS-to-CAS Delay(tRCD):内存行地址传输到列地址的延迟时间,同样也是越小越快。
内存延时越低,内存的性能也就越好,但是低延时内存到底能够提升系统多大性能呢?在高频率和低延时之间,我们到底如何取舍?今天笔者将为您揭开答案。
笔者这次使用的是金士顿HyperX KHX3200ULK2内存套装,HyperX一向是金士顿的顶级产品,它是专门为游戏玩家及计算机玩家量身定制的,这系列内存最大的特点就是超低的延时。

作为内存市场当之无愧的龙头企业,金士顿的内存产品在消费者心中有很多的美誉度。其内存产品主要分为两个系列,面向大众用户的ValueRAM系列,及面向专业玩家的HyperX系列。这次笔者测试的HyperX KHX3200ULK2内存是金士顿HyperX系列中的新款产品,编号中UL的意思是Ultra Low latency超低延时。HyperX KHX3200ULK2是专门为双通道设计的2根512MB DDR400的套装,时序为2-2-2-5,JEDEC对DDR400内存时序的规范是3-3-3-8,可见超低延时名副其实。

作为内存中决定性能的关键,内存颗粒的选择是非常重要的。这款HyperX KHX3200ULK2使用了在超频玩家中口碑极佳的三星TCCD显存颗粒,在内存的两边并配备了幽蓝色的金属散热片,在屏蔽高频电磁干扰的同时提供良好的散热。该内存条边角处理整齐,金手指印刷清晰、有厚度,各元器件焊接整齐。