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更新换代!DDR2 800内存横向评测

2007-08-31 作者:非常在线 鸦片 编辑:naraka 【复制本帖地址

DDR2新特性 基于混乱的年代

    除了速度上的优势和更低功耗外,DDR2还有几个相对于DDR I增加的新特性。分别是OCD、ODT和Post CAS。

    OCD(Off-Chip Driver),也就是所谓的离线驱动调整,DDR2通过OCD可以提高信号的完整性。DDR 2通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。也就是Pull-up=Pull-down。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;以防止电源过大的电压和过少的电压令数据流失或令讯号变得更稳定。

OCD

    ODT是内建核心的终结电阻器,我们知道使用DDR I SDRAM的主板上面需要大量的终结电阻,至少每根数据线需要一个终结电阻,这对主板来说也是不小的成本。信号线上使用终结电阻是为了防止数据线终端反射信号,因此需要一定阻值的终结电阻器。这个阻值太大或者太小都不好,阻值较大线路的信噪比较高但是信号反射较为严重,阻值小可以减小信号反射但是会造成信噪比下降。此外由于不同的内存模组对终结电阻的要求不可能完全一样,因此主板对内存模组也比较“挑剔”。

ODT

    为了能令DDR 2内存更易增加时钟,DDR 2优化了读写的工作流程,加入了Posted CAS技术,可以令CAS指令(读写指令)能于下一个RAS(Active Command)指令后的工作时脉下开始,以往CAS同RAS必须相距一个时脉才可,这个技术减少了时脉的浪费,这样可令内存的时脉更易提升。 

Post CAS

第1页: 序言 第17页: 测试平台介绍
第2页: 何为DDR2内存? 第18页: Super PI 测试
第3页: DDR2新特性 基于混乱的年代 第19页: 内存读取测试
第4页: CPU架构发展需要更高的内存带宽 第20页: 内存延迟测试
第5页: 4bit prefetch架构 第21页: 整数测试
第6页: 宇瞻1GB DDR2-800内存 第22页: 浮点测试
第7页: 超胜 1GB DDRII800 第23页: PCMark 05测试
第8页: 金泰克磐虎DDR2 800/1G 第24页: Win RAR测试
第9页: 金士顿HYPERX DDR2-800MHZ 第25页: 3DMark 05测试
第10页: 三星金条1GB DDR2-800  第26页: 3DMark 06测试 
第11页: Kingmax 1GB DDR2-800内存 第27页: DOOM3测试 
第12页: 金特尔DDR2 800 第28页: Half-Life 2测试
第13页: 勤茂1G DDR2 800 第29页: 超频测试
第14页: 金邦1GB DDR2-800白金内存 第30页: 同时序下不同频率内存性能测试
第15页: 创见DDR2 800内存 第31页: 获奖产品
第16页: PNY DDR2 800内存 第32页: 总结


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