全球首款、突破300层！SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产
快科技11月21日消息，今天SK海力士官方宣布，已开始量产全球首款321层1TB TLC 4D NAND闪存。 SK海力士表示，公司从2023年6月量产上一…
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快科技11月15日消息，国产存储芯片大厂江波龙宣布，其自研SLC NAND Flash已经累计出货突破1亿颗。 江波龙称，SLC NAND Flash存储器…
快科技10月30日消息，铠侠宣布量产业界首款采用四层单元技术的QLC UFS 4.0闪存。相比于传统的TLC UFS有着更高的位密度，使其适用于需要更高存储…
快科技10月29日消息，据媒体报道，三星与铠侠都开始研究在第四季度对NAND进行减产，预计依照市场况状进行分阶段减产。 此前，TrendForce分析，20…
快科技8月13日消息，据“复旦大学微电子学院”官微发文，周鹏-刘春森团队从界面工程出发，在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证明了其…
快科技8月9日消息，在FMS 2024峰会上，SK海力士展示了其最新的存储产品，包括尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存。 据JEDEC固态技术协会官网…
快科技8月4日消息，据报道，SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存，将于2025年投入大规模量产，再次遥遥领先。 为了达成如此密集的堆叠，SK海力士使…
快科技7月31日消息，集邦咨询报告称，随着市场需求看涨、供需结构改善、价格拉升、HBM崛起，预计2024年的DRAM内存、NAND闪存行业收入将分别大幅增加…
快科技7月3日消息，据媒体报道，三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中，巧妙地在金属化工艺环节引入了钼（Mo）作为替代材料，与之并行的另一路径则继续沿用…
