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紧追台积电 三星3nm工艺已量产三款芯片:功耗降低50%

来源:快科技 编辑:非小米 时间:2023-07-29 07:12人阅读

快科技7月29日消息,在3nm节点,三星去年6月份就宣布量产,进度比台积电还快,不过后者拿到了苹果等大客户的订单,三星没有重量级客户,这方面有所不如。

在日前的财报中,三星表示3nm工艺的良率已经稳定,代工厂正在顺利量产第三款3nm芯片,不过三星没有透露是为谁代工的。

日前有传闻称AMD也在寻求三星3nm工艺代工,但AMD的官方态度很模糊,没有承认,但也表示确实在考虑台积电以外的晶圆代工伙伴。

三星的3nm工艺放弃FinFET晶体管技术,直接上了GAA晶体管,技术很激进。

根据三星说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%。

不过三星3nm工艺初期的良率确实不高,最近才传闻提升到了60%,比台积电的3nm工艺55%的良率要好。

此外,除了第一代3nm工艺之外,三星还提到第二代3nm工艺及2nm工艺的进展良好,很有信心的样子。

紧追台积电 三星3nm工艺已量产三款芯片:功耗降低50%

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