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三星公布芯片计划:3年内量产2纳米 5年内超越台积电

来源:快科技 编辑:非小米 时间:2023-10-20 16:42人阅读

快科技10月20日消息,当地时间19日,三星电子在德国慕尼黑举办了“三星代工论坛2023”,并公布了其先进工艺路线图和代工战略

在此次论坛上,三星展示了从最先进的2纳米工艺到8英寸传统工艺一系列汽车行业定制解决方案

三星代工事业部总裁Siyoung Choi表示:“目前我们正在加大投入准备工作,为客户提供功率半导体、微控制器、先进的自动驾驶人工智能芯片等多种解决方案。”

三星强调,其将在2026年完成车用2nm芯片的量产;同时还透露了其开发业界首款5nm eMRAM的计划。

自2019年成为业内首家量产基于28nm工艺eMRAM的公司以来,三星计划2024年量产14nm车用eMRAM,然后在2026年和2027年量产8nm和5nm车用eMRAM

三星官方表示,8nm eMRAM与14nm相比,预计集成度将提高30%,速度提高33%。

此外三星还计划到2025年将目前的130mm车用BCD工艺提升至90nm,与130nm相比,90nm的BCD工艺将使芯片面积减少20%

根据此前DigiTimes的报道,三星半导体和设备解决方案(DS)部门负责人Kye Hyun Kyung曾公开表示,要在未来5年内超越台积电和其它行业巨头

而台积电总裁魏哲家在昨天的法人说明会上披露,台积电有望在2025年量产2nm工艺芯片。

三星公布芯片计划:3年内量产2纳米 5年内超越台积电

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