内存、闪存大涨价要来了！明年将出现缺货潮

快科技11月8日消息，据国内媒体报道，NAND Flash（闪存）控制IC厂商群联CEO潘健成7日表示，随着主要存储芯片厂相继减产，加上部分终端市场回温，NAND市况开始走强、报价上涨。

他还表示，近期客户拉货更趋积极，但市场供给持续因大厂减产受限缩，预期明年将出现缺货潮。

根据TrendForce集邦咨询最新研究显示，预估第四季度移动DRAM（内存）及NAND Flash（闪存）合约价均上涨，涨势或将延续至明年第一季度。

其中，第四季移动DRAM（内存）合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND Flash（闪存）方面，eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%。

据悉，此次涨价潮主要包括以下原因：

供应方面，三星扩大减产、美光宣布20%的涨幅等，持续奠定同业涨价信心的基础。

需求方面，2023下半年移动DRAM（内存）及NAND Flash闪存（eMMC、UFS）除了受传统旺季带动，华为Mate 60系列等也刺激其他中国智能手机品牌扩大生产目标，短时间内涌入的需求也成为推动第四季度合约价涨势的原因之一。

预计，这波涨势将延续到明年第一季度。