三星宣布生产512GB eUFS闪存:将用于下一代移动设备-非常在线

三星宣布生产512GB eUFS闪存:将用于下一代移动设备

非常在线2017年12月6日消息,据外媒报道,三星电子于12月5日宣布,已经开始大规模生产该行业的第一个512 GB嵌入式通用闪存(eUFS)解决方案,并将用于下一代移动设备。三星512 GB eUFS采用三星最新的64层512千兆比特(Gb)v – nand芯片,新的512GB eUFS包为即将到来的旗舰智能手机和平板电脑提供了无与伦比的存储容量和出色性能。

三星电子负责内存销售和市场营销的执行副总裁Jaesoo Han表示:“新一代的三星512GB eUFS为下一代高端智能手机提供了最好的嵌入式存储解决方案,克服了在使用微SD卡时系统性能的潜在限制。”“通过确保这一先进嵌入式存储的早期稳定供应,三星在促进全球移动制造商及时推出下一代移动设备方面迈出了一大步。”

三星新推出的512Gb UFS由8个64层512Gb的v – nand芯片和一个控制器芯片组成,全部叠加在一起,三星的新512Gb UFS的密度相当于三星之前的48层v – nand256gb的eUFS的密度,与256GB的包的空间相同。

为了最大限度地提高新512GB eUFS的性能和能效,三星推出了一套新的专有技术。512Gb的eUFS控制器的64层512Gb v – nand的先进电路设计和新的电源管理技术使能量消耗的不可避免的增加最小化。此外,512GB的eUFS控制器芯片加速了将逻辑块地址转换成物理块的映射过程。

三星512GB的eUFS也有很强的读写能力。在它的连续读和写达到每秒860兆字节(MB / s)和255MB / s的情况下,512GB的嵌入式内存允许在大约6秒内将一个5GB的完整高清视频剪辑传输到SSD,比普通的microSD卡快8倍。

对于随机操作,新的eUFS可以读取42000个IOPS并写入40iops。基于eUFS的快速随机写入,移动用户可以享受到高解析度突发拍摄等无缝多媒体体验,以及在双APP查看模式下的文件搜索和视频下载等,速度快于传统microSD卡100倍的速度。

与此同时,三星还打算稳步增加其64层512Gb v – nand芯片的生产规模,并扩大其256Gb的v – nand生产。这将满足高级嵌入式移动存储需求的增长,以及高密度和性能的高级ssd和可移动内存卡的需求

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