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铠侠放话:2031年搞定1000+层闪存!

来源:快科技 编辑:非小米 时间:2024-04-07 19:48 人阅读

快科技4月7日消息,铠侠首席技术官Hidefumi Miyajima近日披露,铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存。

铠侠现有的最新闪存技术是2023年3月推出的第八代BiCS,堆叠了218层,接口速度3200MT/s。

至于使用什么样的新技术、新工艺才能达到1000多层,铠侠没有明说。

目前堆叠层数最多的闪存技术来自SK海力士,达到了321层,不过要到2025年上半年才能量产。

有趣的是,三星方面此前声称,计划在2030年实现1000层闪存(SSD容量也规划到了1000TB),不知道和铠侠谁能最先做到。

三星的V-NAND已经推进到第九代,将在明年初量产,基于双堆栈架构,可达成业界最高堆叠层数,预计超过300层,再往后的第十代则会达到430层左右。

铠侠放话:2031年搞定1000+层闪存!

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标签: 三星 铠侠