三星又专利侵权?三星FinFET工艺被指盗取而来

根据外媒报道,三星最近专利侵权案一件接着一件,在美国就“滑动解锁”专利与苹果的较量中刚刚败下阵来,在中国又与名不见经传的中国公司在“画图解锁”专利上同样吃了败诉。现在三星半导体公司,又被指责盗取他人FinFET技术。

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除了智能手机知名之外,三星还是全球重要的半导体公司,在2016年前20名半导体公司中营收排名第二,仅次于英特尔,领先于台积电。在FinFET代工上,三星也比TSMC公司抢先量产14nm FinFET工艺,不仅为高通代工骁龙820/821处理器,高通骁龙835处理器也将采用三星10nm FinFET工艺。

讽刺的是,三星一直引以为傲的FinFET技术,现在却受到本国公司的起诉。据韩国媒体报道,韩国KAIST(韩国科学与技术学院)就 FinFET专利侵权一事将三星告上了法院。

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KAIST声称:“14nm FinFET技术是由KAIST所研发的,现在三星却把“剽窃而来的”技术运用到了高通高端芯片上。”根据KAIST所述,2001年还在韩国圆光大学任职的教授Lee Jong-ho提出了这种技术,三星当时对FinFET工艺并没有任何兴趣。不过在Intel率先推出类似FinFET工艺的3D晶体管技术之后,三星邀请了Lee教授给自家工程师演讲,并获得了这种专利技术。KAIST同时还表示:“三星在没有支付任何费用的情况下,运用到了Lee教授的技术,这为三星节省了大量开发时间和成本。”

在专利侵权上,从来没有一家手机公司可以置身事外,今年三星陆续的专利侵权案也为我们国内厂商敲响了警钟,在专利使用和保护上还需谨慎。

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