三星又专利侵权?三星FinFET工艺被指盗取而来

根据外媒报道，三星最近专利侵权案一件接着一件，在美国就“滑动解锁”专利与苹果的较量中刚刚败下阵来，在中国又与名不见经传的中国公司在“画图解锁”专利上同样吃了败诉。现在三星半导体公司，又被指责盗取他人FinFET技术。 除了智能手机知名之外，三星还是全球重要的半导体公司，在2016年前20名半导体公司中营收排名第二，仅次于英特尔，领先于台积电。在FinFET代工上，三星也比TSMC公司抢先量产14nm FinFET工艺，不仅为高通代工骁龙820/821处理器，高通骁龙835处理器也将采用三星10nm FinFET工艺。 讽刺的是，三星一直引以为傲的FinFET技术，现在却受到本国公司的起诉。据韩国媒体报道，韩国KAIST(韩国科学与技术学院)就 FinFET专利侵权一事将三星告上了法院。 KAIST声称：“14nm FinFET技术是由KAIST所研发的，现在三星却把“剽窃而来的”技术运用到了高通高端芯片上。”根据KAIST所述，2001年还在韩国圆光大学任职的教授Lee Jong-ho提出了这种技术，三星当时对FinFET工艺并没有任何兴趣。不过在Intel率先推出类似FinFET工艺的3D晶体管技术之后，三星邀请了Lee教授给自家工程师演讲，并获得了这种专利技术。KAIST同时还表示：“三星在没有支付任何费用的情况下，运用到了Lee教授的技术，这为三星节省了大量开发时间和成本。” 在专利侵权上，从来没有一家手机公司可以置身事外，今年三星陆续的专利侵权案也为我们国内厂商敲响了警钟，在专利使用和保护上还需谨慎。