Intel全新堆叠式CFET晶体管技术曝光

近日在比利时安特卫普举行的 ITF World 2023大会上，英特尔技术开发总经理 Ann Kelleher 介绍了几个关键领域最新技术发展，其中就包括了英特尔将采用堆叠式 CFET 晶体管架构，这也是英特尔首次公开介绍新的晶体管设计，但并未提及具体的量产时间表。

在2021年创新技术大会上，英特尔公布了 Intel 20A 制程将采用基于 Gate All Around（GAA）技术 RibbonFET 晶体管架构，以取代 2011 年沿用至今的 FinFET 晶体管架构。

新技术提升晶体管开关速度，占用空间更少，可以达成与FinFET结构相同驱动电流水准。Ann Kelleher 表示，RibbonFET 将在 2024 年量产。

英特尔还展示下一代 GAA 堆叠式 CFET 晶体管架构，将允许堆叠8个纳米片，是 RibbonFET 的4个纳米片的两倍，将进一步提升晶体管密度。