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联发科最强5G Soc!台积电3nm天玑芯片成功流片:2024年量产

来源:快科技 编辑:非小米 时间:2023-09-07 08:30人阅读

快科技9月7日消息,今日,联发科官方宣布,联发科首款采用台积电3nm工艺的天玑旗舰芯片开发顺利,日前已成功流片,预计2024年下半年上市,将成为联发科最强5G Soc。

据悉,台积电3nm拥有更强性能、功耗、良率,相较5nm工艺,3nm工艺的逻辑密度增加约60%,在相同功耗下速度提升18%,或在相同速度下功耗降低32%。

联发科最强5G Soc!台积电3nm天玑芯片成功流片:2024年量产

在今年7月的季度财务会议上,台积电CEO魏哲家透露,去年底开始量产的N3 3nm工艺,已完全通过验证,性能、良品率都达到了预期目标。

台积电3nm工艺第一代为N3B,技术上很先进很复杂,应用多达25个EUV光刻层,还有双重曝光,从而达到更高的晶体管密度,这也致使价格更贵。

第二代则是N3E,EUV光刻层减少到19个,去掉双重曝光,会便宜不少,更适合主流产品。

值得一提的是,iPhone 15系列下周就要发布了,其中iPhone 15 Pro/Pro Max机型将升级苹果A17处理器,将首发台积电3nm工艺,芯片表现如何,值得期待。

联发科最强5G Soc!台积电3nm天玑芯片成功流片:2024年量产

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